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アルゴン

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後方散乱電子回折 (EBSD)

単結晶シリコンにおいて60°の入射角で60keVのアルゴンイオンのスパッタリングによって形成された波紋のEBSD実験
(はい、これはアルゴンの伸縮性ですが、興味深いEBSDアプリケーションです!)

インドのサハ核物理学研究所のT.K.Chini氏の厚意により転載を許可していただきました。

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