半導体

Circuit board

1970年代以来、半導体産業は、すさまじい発展を遂げ、プロセスノードは数ミクロンから100ナノメートル以下になり、トランジスタ数は数千から数十億まで増大しました。歴史的に、半導体産業は,関連する分析技術とともに、走査電子顕微鏡 (SEM)、透過電子顕微鏡 (TEM) および集束イオンビーム (FIB)開発の原動力の1つでした。

半導体産業におけるエネルギー分散型X線分析装置 (EDS) の主なアプリケーションの1つは、故障解析や汚染物質の分析です。試料の小さな形状、表面感度とビーム感度に求められる条件により、分析はしばしば非常に低い加速電圧 (1-5 kV) で実行されます。低エネルギー領域と制限されたX線収率のピークの重なりのため、このタイプのアプリケーションは特に課題の多いものとなっていますが、EDAX検出器のシリコンナイトライド製ウィンドウの透過率特性は、ポリマー製ウィンドウに比べて著しく改良されており、ウィンドウレス検出器が持ついなかる危険性もありません。

しばしば広い範囲の層が処理の一部として半導体ウエハーの上に生成され、各層がそれぞれの特性と構造を持つ場合があります。後方散乱電子回折 (EBSD) 検出器によって、どの範囲に、これらの層が非結晶構造または結晶構造として成長するかを知ることができ、結晶の形成と成長に関する情報を得ることができます。構造変化の例として、金属インターコネクトが挙げられます。これは熱サイクルが粒子の成長と伝導率の変化をもたらすことで、機器が故障する原因となります。

その他のアプリケーション
OIMでの双晶の特性評価